机译:MOCVD生长的InGa / GaAs发射极Delta掺杂异质结双极晶体管
机译:Mogvd生长的InGaP / GaAs发射极增量掺杂异质结双极晶体管
机译:具有碳掺杂基极的高性能MOCVD生长的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:InGaP / GaAs / spl delta /掺杂异质结双极晶体管和掺杂沟道场效应晶体管的集成制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:Ga0.35In0.65 N0.02As0.08 / GaAs双向发光吸光异质结工作于1.3μm
机译:mOCVD生长的InGa / Gaas发射极三角洲掺杂异质结双极晶体管
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响